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聚噻吩（Polythiophene，縮寫PT）是噻吩聚合生成的高分子化合物。在通過摻雜向其共軛的π軌道引入或去除電子時，它可轉變為導體。因此聚噻吩及其類似物是近些年的研究 ...

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聚噻吩（Polythiophene，縮寫PT）是噻吩聚合生成的高分子化合物。在通過摻雜向其共軛的π軌道引入或去除電子時，它可轉變為導體。因此聚噻吩及其類似物是近些年的研究熱門課題，2000年諾貝爾化學獎即是頒給研究這一主題的艾倫·黑格、艾倫·麥克德爾米德和白川英樹。

導電性是這些化合物最重要的性質，是由電子在聚合物主鏈上離域而產生。除了導電性以外，聚噻吩還有奇特的光學性質。在溶劑、溫度、電位和其他分子等環境因素影響下，聚噻吩主鏈發生扭轉，共軛結構被破壞，致使其迅速發生顏色的轉變。上述特殊的電學和光學性質使聚噻吩和類似的共軛聚合物有作為傳感器的潛在應用。

電子在導電聚合物的共軛主鏈上，（通常）通過π軌道的重疊而發生離域，產生價帶充滿電子的延伸π系統。從該π系統去除電子（「p-摻雜」）或添加電子（「n-摻雜」）時，均產生帶電的雙極化子單元（圖1）。產生的雙極化子作為一個整體沿著聚合物鏈移動，它是聚合物具導電性的微觀原因。

共軛聚合物中的摻雜水平一般較高，在20～40%左右，遠比半導體中的摻雜（＜1%）要高。聚噻吩類聚合物的電導率一般低於1000 S/cm。McCullough 等曾報導製得電導率達1000 S/cm的碘摻雜的聚(3-十二烷基噻吩)。[1]

導電聚合物的氧化和反離子的引入（摻雜）可以通過電化學或化學方法同時實現。電化學合成聚噻吩時，溶劑中的電解質在噻吩在陽極表面發生聚合時與聚合物相結合，在電極上生成含有反離子的聚噻...