[圖文] 氧化亞銅是半導體材料中的閃光點還是下一個繼承者？[圖] | 食品添加物合法業者資訊網

2021年6月5日—氧化亞銅是一種半導體，其帶隙範圍從2。0到2。2eV不等，並且具有光伏特性。作為化學式為Cu2O的銅的p型氧化物，它可以以薄膜或奈米顆粒的形式存在， ...

氧化亞銅怎麼製取

爭奪矽冠的半導體材料無處不在，多年來一直在研究的一種基材是氧化亞銅。它是雷達上的一個閃光點還是下一個繼承者？

在半導體材料方面，Si和GaN是主要參與者。然而保留一些其他選擇總是好的。現在在研究中不斷出現的一種材料是氧化亞銅（或氧化銅I）。

不同材料的導熱係數。圖片由攀時提供

氧化亞銅是最早發現的具有半導體效能的材料之一。本文探討了這種獨特材料的一些好處和用途。

什麼是氧化亞銅?

氧化亞銅是一種半導體，其帶隙範圍從2。0到2。2eV不等，並且具有光伏特性。作為化學式為Cu 2 O的銅的p型氧化物，它可以以薄膜或奈米顆粒的形式存在，由於其成本低，提供了新的物理特性，對基礎研究非常有用。

在過去的幾十年中，研究人員已經確定了多種合成氧化亞銅的方法。發現的一些技術是：

熱氧化

化學氣相沉積

陽極氧化

反應濺射

電沉積

等離子蒸發

溶膠-凝膠狀浸塗技術

即使經過廣泛的研究，使用這些方法的一個重大障礙是產生Cu、CuO和Cu2O的混合相，導致氧化亞銅作為半導體的應用很少。

透過反應濺射製備氧化亞銅（Cu 2 O）（（a）Cu膜（100％Ar），（b）Cu2O膜（95：5），（c）Cu 2 O膜（90：10）和（d） Cu2O膜（80：20））。圖片由Dolai等提供

儘管存在應用上有一些缺點，但它確實在太陽能電池，透明電子裝置，可充電鋰電池電極和憶阻器中具有 潛在用途。

氧化亞銅的電子性質研究

氧化亞銅的研究一直在進行，即瞭解其電子效能和作為半導體材料的潛力。

一個研究小組報告說，當它被摻入12。5%的鋅時，它的光學效能得到了提高，可以應用於光催化和感測器裝置。根據另一個小組的研究，將其摻入0。34%濃度的F元素後，其帶隙從1。96eV降至1。91eV。

但是，它的光電壓和光電流密度分別增加到0。4457 V和2。79 mA / cm2。