北美智權報第94期：3D IC晶圓接合技術 | 食品添加物合法業者資訊網

Read More

2014年9月5日 — 因此可承受高溫製程的高性能高分子，如Polyimide(PI)、Polybenzoxazole( PBO )、Benzocyclobutene( BCB )等在晶片或晶圓級封裝材( Wafer Level ... Read More

在完成前段製程的晶圓(wafer)上，塗佈一層介電層(Dielectric layer)材料，使用的材料包括: BCB 或是Polyimide (PI)。該介電層可作為半導體元件表面的保護層或元件微 ... Read More

由 胡吟竹 著作 · 2006 — 標題: 使用BCB及LCP作為高頻覆晶封裝底膠填充的材料. Using BCB and LCP As New Underfill Material for High Frequency Flip Chip Interconnects. 作者: 胡吟竹 Read More

據推測此介於兩個PDMS 元件之間的永. 久性鍵結，是來自於共價siloxane 鍵的凝結反應。 以BCB 為中間介層材料，Niklaus 等人(27) 研究. 接合具有流道或凸出結構晶片之接合 ... Read More

2013年10月16日 — 退火溫度的高低取決於接合原理與材料特性，熱退火對晶圓接合的主要影響 ... 針對BCB材料需要進行預烘烤（Pre-Cure）步驟，以去除溶劑及強化高分子聚合 ... Read More

2018年6月28日 — wafers (BCB, PI, epoxies, SU8, PBO, WPR, Al-X, etc…). ... 半導體密封材料主要由環氧型粘著劑樹脂，二氧化矽填料，添加劑等構成。 Read More

本发明揭示了一种介电材料BCB的移除方法，包括：使用光阻材料定义非蚀刻区域；使用等离子态的蚀刻剂蚀刻介电材料BCB层，其中所述蚀刻剂至少包括O 2 和CF 4 ；蚀刻介电 ... Read More

(1) 在晶圓上塗佈感光性介電材料。（BCB或PI） (2) 經曝光、顯影RIE反應式離子蝕刻開出圖案。 (3) Sputter磁控濺鍍一導電金屬膜層。（Al/NiV/Cu/Ti或Al） Read More