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本发明揭示了一种介电材料BCB的移除方法，包括：使用光阻材料定义非蚀刻区域；使用等离子态的蚀刻剂蚀刻介电材料BCB层，其中所述蚀刻剂至少包括O2和CF4；蚀刻介电 ...

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，更具体地说，涉及介电材料BCB的移除方法。

背景技术

随着半导体工艺的发展，晶圆级二次布线已经得到广泛得应用，在晶圆级二次布线工艺中，需要使用低k值的介电材料。近些年来已开发出多种用于高频IC的低k值介电材料，其中最有前途的一种是Dow化学公司的Cyclotene(BCB)。这种负性感光聚合物可采用与凸点技术相同的贴近式工具制模，同样可以采用全幅曝光，并通过掩模与晶圆间的间隙选择所需的侧壁倾角。

BCB在具有多种优点的同时，也具有如下的缺陷：BCB固化之后十分坚固，使用一般的化学腐蚀剂或者研磨材料难以去除，如果采用等离子状态的一般化学腐蚀剂进行去除，则需要经过很长的时间，在这过程中，这些化学腐蚀剂会对晶片上的其他机构造成破坏，使得晶片损坏。因此，目前只能在BCB尚未完全固化是对其进行移除。但是BCB的固化过程是一个相对较短的时间，在此过程中判断是否进行BCB的移除以及进行那些区域的BCB移除，并进而进行移除操作在时间上太过紧张。因此，目前对于如何移除BCB层是一个棘手的问题。

目前，如果出现BCB层没有来得及移除就已固化的情况，只能废弃该晶片，这会造成很大的损失。于是，业内就迫切需要一种能够有效移除BCB层的方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够有效移除已固化的介电材料BCB层的方法。

根据本发明，提供一种介电材料BCB的移除方法，包括：使用光阻材料定义非蚀刻区域；使用等离子态的蚀刻剂蚀刻介电材料BCB层，其中所述蚀刻剂至少包括O2和CF4；蚀刻介电材料BCB层后，除去覆盖非蚀刻区域的光阻层。

在该方法中，还包括判断介电材料BCB层是否已蚀刻完的步骤。该步骤可采用红外光谱进行判断，也可采用目控进行判断。

根据一实施例，该方法中所采用的蚀刻剂包括：O2、CF4和均匀剂。该均匀剂可以为N2，此时，该蚀刻剂包括：O2、CF4和N2。