金属氧化物半导体场效电晶体 | 食品添加物合法業者資訊網

金属氧化物半导体场效电晶体（简称：金氧半场效电晶体；英语：Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，缩写：MOSFET），是一种可以广泛使用在模拟电路与 ...

金属氧化物半导体场效电晶体（简称：金氧半场效电晶体；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，缩写：MOSFET），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效电晶体。金属氧化物半导体场效电晶体依照其通道极性的不同，可分为电子占多数的N通道型与空穴占多数的P通道型，通常被称为N型金氧半场效电晶体（NMOSFET）与P型金氧半场效电晶体（PMOSFET）。

以金氧半场效电晶体（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的第一个字母M，在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期金氧半场效电晶体闸极使用金属作为材料，但由于多晶矽在制造工艺中更耐高温等特点，许多金氧半场效电晶体闸极采用后者而非前者金属。然而，随著半导体特征尺寸的不断缩小，金属作为闸极材料最近又再次得到了研究人员的注意。

金氧半场效电晶体在概念上属于绝缘闸极场效电晶体（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而绝缘闸极场效电晶体的闸极绝缘层，有可能是其他物质，而非金氧半场效电晶体使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶矽闸极的场效电晶体元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是金氧半场效电晶体。

金氧半场效电晶体里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做为氧化层之用。

今日半导体元件的材料通常以矽为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如国际商业机器股份有限公司使用硅与锗的混合物所发展的矽锗制程（SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（GaAs），...